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众所周知，芯片行业一直有一条定律:技术越先进，性能越强，因此有能力的制造商不断探索芯片制造技术的极限。
，如TSMC，一直在不断研究从14纳米到10纳米到7纳米到5纳米，甚至3纳米、2纳米之类的东西，直到达到极限。
也是因为这个，所以TSMC被认为是现在最强的芯片制造领域，它的技术水平是任何人都赶不上的，即使是世界第一的英特尔也不是对手，因为英特尔仍然在14纳米，10纳米的芯片今年只能批量生产
但是最近，极客4揭示了英特尔10代内核的成就。与此同时，英特尔10纳米工艺的基本指标也出现在互联网上。发现该指数比TSMC的7纳米过程强得多。
英特尔的10纳米工艺实现了100.76 Mrt/mm2的晶体管密度、54×44纳米的栅极间距和0.0312μm2的静态随机存取存储器面积特别是在晶体管密度方面，10nm工艺可以实现每平方毫米1亿个晶体管，这比TSMC强得多。
，我们知道芯片性能与晶体管的数量有很大关系，例如69亿个晶体管的麒麟980和55亿个晶体管的麒麟970。
，一般工艺越先进，这意味着晶体管密度越高，相同单位面积下放置的晶体管越多。然而，英特尔的10纳米工艺比TSMC的7纳米工艺更强，这实在有点神秘，有点超出常识。
，事实上，几年前，英特尔的技术领先于TSMC。例如，FinFET技术是他们的第一次大规模生产，领先竞争对手两三年。
仅在14纳米时被英特尔延迟太久。自2015年以来已经4年多了。只有这一次，10纳米的进程升级。最终真的比TSMC的7纳米好吗？你认为，在英特尔的芯片发布之前，情况不会明朗？
